Los transistores de unión bipolar, son dispositivos de estado sólido de tres terminales(Emisor, Base y Colector), núcleo de circuitos de conmutación y procesado de de señal. En funcion de la situacion de las uniones existen 2 tipos NPN y PNP.
TRANSISTOR BIPOLAR NPN
Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C).
El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores. En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.
Unión emisor: es la unión pn entre la base y el emisor. Unión colector: es la unión pn entre la base y colector.
Cada una de las zonas está impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor. La base tiene menor tamaño, después el emisor y a 2 veces de espesor el
colector.
TRANSISTOR BIPOLAR PNP
El BJT pnp está formado también por un cristal semiconductor con tres regiones definidas por el tipo
de impurezas.
Las tensiones de continua aplicadas son opuestas a las del npn. Las corrientes fluyen en sentido contrario al del npn.
Por lo demás, este dispositivo es similar al npn. El BJT pnp desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El exceso de huecos que no pueden recombinarse en la base van a parar al colector.
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